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电子元器件基础知识——半导体器件 ( 3 )
更新日期:2016-07-13  浏览:1525 次
 

 -正向峰值耗散功率

    PFT---正向导通总瞬时耗散功率

    Pd---耗散功率

    PG---门极平均功率

    PGM---门极峰值功率

    PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

    Pi---输入功率

    PK---最大开关功率

    PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

    PMP---最大漏过脉冲功率

    PMS---最大承受脉冲功率

    Po---输出功率

    PR---反向浪涌功率

    Ptot---总耗散功率

    Pomax---最大输出功率

    Psc---连续输出功率

    PSM---不重复浪涌功率

    PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率

    RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻

    RBB---双基极晶体管的基极间电阻

    RE---射频电阻

    RL---负载电阻

    Rs(rs)----串联电阻

    Rth----热阻

    R(th)ja----结到环境的热阻

    Rz(ru)---动态电阻

    R(th)jc---结到壳的热阻

    rδ---衰减电阻

    r(th)---瞬态电阻

    Ta---环境温度

    Tc---壳温

    td---延迟时间

    tf---下降时间

    tfr---正向恢复时间

    tg---电路换向关断时间

    tgt---门极控制极开通时间

    Tj---结温

    Tjm---最高结温

    ton---开通时间

    toff---关断时间

    tr---上升时间

    trr---反向恢复时间

    ts---存储时间

    tstg---温度补偿二极管的贮成温度

    a---温度系数

    λp---发光峰值波长

    △λ---光谱半宽度

    η---单结晶体管分压比或效率

    VB---反向峰值击穿电压

    Vc---整流输入电压

    VB2B1---基极间电压

    VBE10---发射极与第一基极反向电压

    VEB---饱和压降

    VFM---最大正向压降(正向峰值电压)

    VF---正向压降(正向直流电压)

    △VF---正向压降差

    VDRM---断态重复峰值电压

    VGT---门极触发电压

    VGD---门极不触发电压

    VGFM---门极正向峰值电压

    VGRM---门极反向峰值电压

    VF(AV)---正向平均电压

    Vo---交流输入电压

    VOM---最大输出平均电压

    Vop---工作电压

    Vn---中心电压

    Vp---峰点电压

    VR---反向工作电压(反向直流电压)

    VRM---反向峰值电压(最高测试电压)

    V(BR)---击穿电压

    Vth---阀电压(门限电压)

    VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)

    VRWM---反向工作峰值电压

    Vv---谷点电压

    Vz---稳定电压

    △Vz---稳压范围电压增量

    Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压

    av---电压温度系数

    Vk---膝点电压(稳流二极管)

    VL---极限电压

    二、双极型晶体管参数符号及其意义

 

来源:中国百科网 

资料整理中……

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