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电子元器件基础知识——半导体器件 ( 4 )
更新日期:2016-07-13  浏览:1520 次
 

 bsp; Cc---集电极电容

    Ccb---集电极与基极间电容

    Cce---发射极接地输出电容

    Ci---输入电容

    Cib---共基极输入电容

    Cie---共发射极输入电容

    Cies---共发射极短路输入电容

    Cieo---共发射极开路输入电容

    Cn---中和电容(外电路参数)

    Co---输出电容

    Cob---共基极输出电容。在基极电路中,集电极与基极间输出电容

    Coe---共发射极输出电容

    Coeo---共发射极开路输出电容

    Cre---共发射极反馈电容

    Cic---集电结势垒电容

    CL---负载电容(外电路参数)

    Cp---并联电容(外电路参数)

    BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压

    BVceo---基极开路,CE结击穿电压

    BVebo---集电极开路EB结击穿电压

    BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

    BVcer---基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压

    D---占空比

    fT---特征频率

    fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率

    hFE---共发射极静态电流放大系数

    hIE---共发射极静态输入阻抗

    hOE---共发射极静态输出电导

    hRE---共发射极静态电压反馈系数

    hie---共发射极小信号短路输入阻抗

    hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

    hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

    hoe---共发射极小信号开路输出导纳

    IB---基极直流电流或交流电流的平均值

    Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

    IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

    Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

    Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流

    Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流

    Icer---基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流

    Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流

    Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流

    ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

    IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值

    ICMP---集电极最大允许脉冲电流

    ISB---二次击穿电流

    IAGC---正向自动控制电流

    Pc---集电极耗散功率

    PCM---集电极最大允许耗散功率

    Pi---输入功率

    Po---输出功率

    Posc---振荡功率

    Pn---噪声功率

    Ptot---总耗散功率

    ESB---二次击穿能量

    rbb’---基区扩展电阻(基区本征电阻)

    rbb’Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

    rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻

    roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

    RE---外接发射极电阻(外电路参数)

    RB---外接基极电阻(外电路参数)

    Rc---外接集电极电阻(外电路参数)

    RBE---外接基极-发射极间电阻(外电路参数)

    RL---负载电阻(外电路参数)

    RG---信号源内阻

    Rth---热阻

    Ta---环境温度

    Tc---管壳温度

    Ts---结温

    Tjm---最大允许结温

 

来源:中国百科网 

资料整理中……

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